30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7805ATR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 980pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 190pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **D²PAK (TO-263-3)**  

### **Description:**  
The IRF7805ATR is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for low R_DS(on)  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **High Current Handling Capability**  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Optimized for Synchronous Rectification**  

This information is based on Infineon's datasheet and technical documentation for the IRF7805ATR.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package