30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF7805Q is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7805Q  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** PQFN 5x6mm  
- **Technology:** HEXFET®  

### **Electrical Characteristics:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 65nC (typ) @ V_DS = 44V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 950pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF (typ)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  

### **Thermal Characteristics:**
- **Junction-to-Case Thermal Resistance (R_θJC):** 0.5°C/W  
- **Junction-to-Ambient Thermal Resistance (R_θJA):** 40°C/W  

### **Descriptions & Features:**
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Robust Design:** Avalanche energy rated for ruggedness.  
- **Advanced Packaging:** PQFN 5x6mm package for improved thermal performance and space-saving.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and synchronous rectification.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF7805Q.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package