30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF7805QPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF7805QPBF  

### **Description:**  
- The IRF7805QPBF is a **N-Channel Power MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is part of Infineon’s **HEXFET® Power MOSFET** series, optimized for low on-resistance and high-speed switching.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 44A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 176A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliable operation.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Automotive Systems  
- Industrial and Consumer Electronics  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package