30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7805Z is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7805Z  

### **Description:**  
The IRF7805Z is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance (R_DS(on)), making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 44A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 176A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 44nC (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Synchronous Rectification  
- Battery Protection Circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package