30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7805ZTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.014Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Technology:** Advanced Process Technology  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching applications  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package