30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7807-TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF7807-TR  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 42ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** D²PAK (TO-263)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Pin Configuration:** Standard 3-pin (Gate, Drain, Source)  

### **Description:**  
The IRF7807-TR is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high efficiency.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package