30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7807A is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 250A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 7.3mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3600pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 750pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 110pF  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7807A is a **N-channel power MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for **low on-resistance and high current handling**, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The device is housed in a **TO-220 package**, ensuring good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** for power applications.  
- **Fast switching** performance.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

Let me know if you need further details.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package