30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7807ATR is a power MOSFET manufactured by PHILIPS. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** PHILIPS  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 600pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7807ATR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification circuits.  
- The device is optimized for low-voltage, high-efficiency applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability under transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the available technical data for the IRF7807ATR by PHILIPS.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package