30V FETKY The IRF7807D1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **IR Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7807D1 is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  
- The device is housed in a D2PAK (TO-263) package for improved thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Optimized for minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness under inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Optimized Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

30V FETKY

30V FETKY The IRF7807D1 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF7807D1  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7807D1 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.

30V FETKY