30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7807VTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7807VTR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 34nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low on-resistance and high current handling.  
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable performance in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and battery management systems.  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package