30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7809ATR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 42ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** D2PAK (TO-263)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Optimized for high current applications  
- Robust and reliable HEXFET® technology  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package