30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7809AVTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key IR specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **R_DS(on) (Max):** 5.8mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.35V (Min) – 2.35V (Max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- **Technology:** Advanced HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Number of Pins:** 3  

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for high efficiency  
- Optimized for high current applications  
- Fast switching performance  
- Improved thermal characteristics  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package