28V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7811ATR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)  

### **Part Number:**  
IRF7811ATR  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **R_DS(on) (Max):** 16mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7811ATR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for synchronous buck converters, DC-DC converters, and motor control circuits.  
- The device features low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Optimized Gate Charge (Q_G):** Reduces switching losses.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

28V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package