30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7811WTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Package:** SO-8 (Small Outline-8)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7811WTR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high switching efficiency.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and battery management systems.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  

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30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package