30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7811WTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF7811WTRPBF  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 6A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (at V_DS = 25V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** SO-8 (D2PAK)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Optimized for synchronous buck converters  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management in computing and telecom  
- Motor control  
- Battery protection circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7811WTRPBF.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package