30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7822TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 130nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Descriptions:**  
The IRF7822TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified  
- Improved thermal performance due to D²PAK package  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For precise application details, refer to the official documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package