30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7831 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its IOR specifications, descriptions, and features:

### **IOR Specifications (Input/Output Resistance)**  
- **Drain-Source On-Resistance (RDS(on))**:  
  - **4.5V Gate-Source Voltage (VGS)**: 3.0 mΩ (typical)  
  - **2.5V Gate-Source Voltage (VGS)**: 4.0 mΩ (typical)  

### **Descriptions**  
- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Technology**: TrenchFET® Gen IV  
- **Package**: PQFN 5x6mm (8-pin)  
- **Voltage Rating (VDS)**: 30V  
- **Current Rating (ID)**: 100A (continuous) at 25°C  
- **Power Dissipation (PD)**: 200W  

### **Features**  
- **Low RDS(on)**: Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **Fast Switching**: Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated**: Enhances ruggedness in operation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**: Environmentally friendly.  
- **Logic-Level Gate Drive**: Compatible with 2.5V and 4.5V gate drive signals.  
- **Low Gate Charge (Qg)**: Reduces switching losses.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package