30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7831TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7831TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** SO-8 (D2PAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
The IRF7831TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It is optimized for efficiency in power management circuits, motor control, and synchronous rectification in DC-DC converters.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **High Current Handling:** Supports up to 120A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly design.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7831TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7831TR  

### **Description:**  
The IRF7831TR is an N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for low-voltage, high-current switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  
- **Low Gate Charge (Q_G):** 120nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management in Computing & Telecom  
- Synchronous Rectification  
- Battery Protection Circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package