HEXFET Power MOSFET The IRF7832PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7832PBF  

### **Description:**  
The IRF7832PBF is a N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 560A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.6mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.5V (min) to 2.35V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 2600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 280pF  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Robust and reliable performance in power circuits  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **Package Type:** PQFN (5x6mm)  
- **Termination:** Surface Mount  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7832PBF.

HEXFET Power MOSFET

HEXFET Power MOSFET The IRF7832PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Part Number:**  
- **IRF7832PBF**  

### **Description:**  
- **N-Channel Power MOSFET**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 180A (continuous) at 25°C  
- **RDS(ON):** 1.2mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 330W (at 25°C)  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Avalanche Energy Rated (EAS):** 1.1J  
- **Low Gate Charge (Qg):** 170nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  

### **Applications:**  
- High-current DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- Synchronous rectification  

### **Additional Notes:**  
- **RoHS Compliant**  
- **Lead-Free**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications.

HEXFET Power MOSFET