30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7832TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 140A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 560A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.7mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 2200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7832TR is a **N-channel** MOSFET optimized for high-current, low-voltage applications.  
- It is designed for **high-efficiency power switching** in applications like DC-DC converters, motor control, and power management.  
- The device is housed in a **D2PAK (TO-263)** package, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for high-frequency applications.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  
- **Optimized gate charge (Qg)** for improved efficiency in switching applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Infineon's official documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package