Leaded 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7842TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7842TR  

### **Description:**  
The IRF7842TR is a N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 130A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 520A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.1V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 220pF  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Robust and reliable performance  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Leaded 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package