30V FETKY The IRF7901D1TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR).  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and other high-current switching applications.

30V FETKY

30V FETKY The IRF7901D1TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7901D1TR is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for low on-state resistance (RDS(on)) and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8.1A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 32A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **On-State Resistance (RDS(on)):**  
  - 9.5mΩ (max) @ VGS = 10V  
  - 11mΩ (max) @ VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) – 2.0V (max)  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Optimized for high-efficiency DC-DC converters  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Available in a D-Pak (TO-252) package  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management in computing and telecom  
- Motor control  
- Battery protection circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

30V FETKY

30V FETKY The IRF7901D1TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-state resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Fast switching performance.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon's official documentation.

30V FETKY

30V FETKY The IRF7901D1TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 170A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Descriptions:**  
- N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low on-state resistance (R_DS(on)) and high current handling.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching.  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.

30V FETKY