200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB23N20DPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies (IR)  
### **Part Number:** IRFB23N20DPBF  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 52ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Ensures stable performance.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- Industrial applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package