75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3307ZPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFB3307ZPBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Ensures easy mounting and thermal performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package