150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4115PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the datasheet:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 104A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 360pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.7J (single pulse)  

### **Description:**  
The IRFB4115PBF is a high-current N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for low R_DS(on)  
- **High Current Handling Capability** (up to 104A continuous)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is sourced from the official Infineon IRFB4115PBF datasheet.

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package