60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ24GPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 51A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 20ns  
- **Fall Time (t_f):** 15ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in switching applications  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.