55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ24NPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 950pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 220pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFIZ24NPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance** for improved efficiency  
- **High current handling** capability  
- **Avalanche ruggedness** for reliability in harsh conditions  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.