60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ34E is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFIZ34E is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching capability  
- High current handling  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  

The device is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)