60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ34GPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  

### **Descriptions:**
- The IRFIZ34GPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 30A continuous drain current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, inverters, and automotive applications.