60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ34V is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 10V:** 0.035Ω  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 4.5V:** 0.045Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 45ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRFIZ34V is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance, high-speed switching, and robust thermal performance.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- TO-220AB package for efficient heat dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and does not include any additional recommendations.