60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ44GPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 49A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 22mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Description:**
- The IRFIZ44GPBF is a **N-channel** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is part of Infineon's **HEXFET®** technology, offering low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, power supplies, and other high-current applications**.  

### **Features:**
- **Low gate charge** for efficient switching.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Fully characterized for dynamic performance** (fast switching).  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  

This MOSFET is optimized for **high-power, high-frequency switching** applications where efficiency and thermal performance are critical.