55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ46NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 550V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 8pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage switching applications up to 550V.  
- **Low Gate Charge:** Ensures efficient switching performance.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Fully Insulated Package (TO-220F):** Provides electrical isolation between the device and heatsink.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.