60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ48G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Optimized for switching applications.  
- **TO-220 Package:** Industry-standard package for power applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.