60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ48GPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 550V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 21A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 95pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 14pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFIZ48GPBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features fast switching speeds, low on-resistance, and high efficiency, making it suitable for use in power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (550V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package for Efficient Heat Dissipation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This MOSFET is commonly used in applications requiring high-voltage switching with minimal power loss.