55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ48NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A at 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 750pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Application:** Designed for high-efficiency switching applications such as power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces switching noise.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in power management circuits requiring high current handling and low conduction losses.