60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ48VPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 64A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 256A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.014Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 270pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFIZ48VPBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for low R_DS(on)  
- **High Current Handling** capability  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **TO-220AB Package** for easy mounting  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-power switching applications.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package