500V SINGLE HEXFET Power MOSFET in a TO-240AA package The IRFK4H450+ is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 450V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 4A  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Typically 1.8V (at specified conditions)  
- **Gate-Emitter Threshold Voltage (V_GE(th)):** Typically 5.0V  
- **Maximum Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** Varies with operating conditions  
- **Operating Temperature Range (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The IRFK4H450+ is a high-speed switching IGBT module designed for power electronics applications.  
- It is optimized for efficiency in motor drives, inverters, and switching power supplies.  
- The module includes a built-in fast recovery diode for improved performance in inductive load applications.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **High Input Impedance:** Simplifies gate drive requirements.  
- **Built-in Diode:** Provides reverse current protection.  
- **Isolated Baseplate:** Ensures electrical isolation for thermal management.  

For exact performance curves and application-specific details, refer to the official datasheet from International Rectifier (IR).