55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package **Part Number:** IRFL014 N  
**Manufacturer:** IR (International Rectifier)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 5.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (at V_GS = 10V, I_D = 1.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) - 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFL014 N is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management and amplification in compact circuits.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for enhanced switching performance  
- Fast switching speeds for high-frequency applications  
- Low gate charge for efficient drive requirements  
- Compact TO-252 (DPAK) package for space-saving designs  
- Suitable for battery-powered and portable devices  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official IR documentation.