55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL014N is an N-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Description:**  
The IRFL014N is a high-performance MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology:** Provides low conduction losses and high efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL014N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description & Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency in power conversion.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- TO-252 (DPAK) package for surface-mount applications.  

These details are based solely on the manufacturer's specifications.