55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL014NTR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 5.6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) – 2V (max)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 60pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 6ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFL014NTR is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching performance  
- Low gate charge for efficient drive  
- High avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Available in a compact SOT-23 package  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRFL014NTR.