55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL024NTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 21A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 5.3nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFL024NTR is a compact, surface-mount N-Channel MOSFET designed for low-voltage applications requiring high efficiency and fast switching. It is optimized for power management in portable electronics, DC-DC converters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **SOT-23 Package:** Compact footprint for space-constrained designs.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRFL024NTR.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL024NTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (IR). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (IR)  
- **Part Number:** IRFL024NTR  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOT-23  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 5.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for efficient switching performance.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Small Form Factor:** SOT-23 package for space-constrained designs.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRFL024NTR MOSFET.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL024NTR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (IRF). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies (IRF)  
### **Part Number:** IRFL024NTR  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for improved efficiency  
- Fast switching performance  
- High current handling capability in a compact package  
- Suitable for power management and switching applications  
- RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.