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IRFL024ZPBF from IR,International Rectifier

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IRFL024ZPBF

Manufacturer: IR

HEXFET Power MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFL024ZPBF IR 11 In Stock

Description and Introduction

HEXFET Power MOSFET The IRFL024ZPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 11A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.28Ω @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) – 2V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 180pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 35pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Type:** TO-252 (DPAK)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching speed  
- Improved thermal performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control  
- Load switching  
- Battery protection circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

HEXFET Power MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFL024ZPBF IOR 169 In Stock

Description and Introduction

HEXFET Power MOSFET The IRFL024ZPBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 11A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.28Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 140pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 40pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFL024ZPBF is an N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power management circuits, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Enhances efficiency in switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive power requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

HEXFET Power MOSFET

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