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IRFL024ZPBF from IR,International Rectifier

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IRFL024ZPBF

Manufacturer: IR

HEXFET Power MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFL024ZPBF IR 11 In Stock

Description and Introduction

HEXFET Power MOSFET The IRFL024ZPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 11A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.28Ω @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) – 2V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 180pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 35pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Type:** TO-252 (DPAK)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching speed  
- Improved thermal performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control  
- Load switching  
- Battery protection circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFL024ZPBF IOR 169 In Stock

Description and Introduction

HEXFET Power MOSFET The IRFL024ZPBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 11A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.28Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 140pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 40pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFL024ZPBF is an N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power management circuits, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Enhances efficiency in switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive power requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

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