100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL110TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFL110TR is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for power management and DC-DC conversion applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High ruggedness and reliability  
- Optimized for high-frequency switching  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.