200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL210 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **IRFL210 Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 3.6A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 25pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 10ns (typ)  

### **Description:**  
The IRFL210 is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-power switching applications. It operates with a low threshold voltage and is suitable for battery-powered circuits, signal switching, and general-purpose amplification.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage:** Enables operation with low gate drive voltages.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Input Capacitance:** Reduces gate drive requirements.  
- **Compact Package:** Available in TO-92 packaging for space-constrained designs.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.