Power MOSFET The IRFL210TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (IR)  
- **Part Number:** IRFL210TRPBF  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8.4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 31W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFL210TRPBF is a low-threshold N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for low gate drive requirements and high efficiency in power conversion circuits.  
- The TO-252 (DPAK) package provides good thermal performance for surface-mount applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive power requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon documentation.