250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL214 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 120pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 10ns (typ)  

### **Description:**  
- The IRFL214 is a small-signal N-Channel MOSFET designed for low-voltage switching applications.  
- It is optimized for fast switching and low on-resistance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge** for improved drive efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-252 (DPAK) Package** for surface-mount applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.