250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL214TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 15A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 0.18Ω @ V_GS = 10V  
  - 0.25Ω @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Type:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRFL214TR is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power switching applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching performance  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.