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IRFL214TRPBF from IR,International Rectifier

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IRFL214TRPBF

Manufacturer: IR

Power MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFL214TRPBF IR 2500 In Stock

Description and Introduction

Power MOSFET The IRFL214TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFL214TRPBF  

### **Description:**  
The IRFL214TRPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate drive power and fast switching speeds.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2.6A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 10A  
- **RDS(on) (Max):** 0.27Ω @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 1.3W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Load switching  

### **Additional Notes:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

Application Scenarios & Design Considerations

Power MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFL214TRPBF IOR 11 In Stock

Description and Introduction

Power MOSFET The IRFL214TRPBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFL214TRPBF  

### **Description:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-efficiency switching applications  
- Low gate charge and low on-resistance  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 9.2A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.3W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.27Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 7.5nC (typical)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2V  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **Type:** SOT-23 (TO-236AB)  
- **Pin Count:** 3  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Load Switching  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

Application Scenarios & Design Considerations

Power MOSFET

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