150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL4315 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRFL4315 is a P-Channel HEXFET® Power MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for performance in power management circuits, battery protection, and load switching.  

### **Key Features:**  
- **P-Channel MOSFET**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 85mΩ (max) at V_GS = -10V  
  - 110mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 8nC (typical)  
- **Avalanche Energy Rated (E_AS):** 100mJ  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** – Surface-mount package with good thermal performance.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Battery Management Systems  
- Load Switching  
- Power Supplies  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRFL4315. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's documentation.

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL4315 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 21A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling.  
- **Avalanche Energy Rated:** Suitable for rugged applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven with lower gate voltages.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package