150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL4315TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Vishay Intertechnology. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay Intertechnology  
- **Part Number:** IRFL4315TRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 10nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFL4315TRPBF is an N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High ruggedness and reliability  
- Avalanche energy specified  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL4315TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFL4315TRPBF  

### **Type:**  
P-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  

### **Package:**  
TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- Logic-level gate drive  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- High efficiency  
- Avalanche energy specified  

### **Applications:**  
- Power management  
- DC-DC converters  
- Load switching  
- Battery protection circuits  

This information is strictly factual and derived from the manufacturer's datasheet.